به گزارش روز سه شنبه (18 مه) ، شرکت تولید کننده نیمه هادی تایوان (TSMC) ، دانشگاه ملی تایوان (NTU) و موسسه فناوری ماساچوست (MIT) پیشرفت چشمگیری در توسعه تراشه های 1 نانومتری داشته اند.در حالی که در حال حاضر پیشرفته ترین تراشه ها 5 نانومتر هستند ، یافته های TSMC احتمالاً منجر به صرفه جویی در مصرف انرژی و سرعت های بالاتر برای وسایل نقلیه الکتریکی آینده ، هوش مصنوعی و سایر فناوری های جدید می شود.
بر اساس گزارشی در مجله Nature ، این کشف ابتدا توسط تیم MIT با عناصر بهینه شده توسط TSMC و بهبود یافته توسط بخش مهندسی برق و بینایی سنجی NTU صورت گرفت.
وردیکت گزارش داد که نتیجه کلیدی این تحقیق این بود که با استفاده از بیسموت نیمه فلزی به عنوان الکترود انقباضی یک ماده دو بعدی برای جایگزینی سیلیکون ، می توان مقاومت را کاهش و جریان را افزایش داد. بنابراین بازدهی انرژی برای نیمه هادی ها به بالاترین سطح ممکن افزایش می یابد.
طی دهه های گذشته ، تولیدکنندگان تراشه سعی کرده اند ترانزیستورهای بیشتری را روی سطوح کوچکتر قرار دهند اما حالا به حد نهایی و محدودیت های سیلیکون که ماده ی اصلی فیفر های ساخته شده هستند رسیده اند . در نتیجه ، دانشمندان در حال بررسی مواد 2 بعدی برای جایگزینی سیلیسیم برای رساندن تراشه ها به اندازه های 1 نانومتر و پایین تر هستند.
ترک

نویسنده: امیرارسلان ترک لشکناری

دانش آموخته ی مهندسی برق
علاقه مند به هوش مصنوعی، حوزه ی فیزیک کوانتوم و پردازش های کووانتومی، پردازش سیگنال های دیجیتال و سیستم های embedded
ترک

نویسنده: امیرارسلان ترک لشکناری

دانش آموخته ی مهندسی برق
علاقه مند به هوش مصنوعی، حوزه ی فیزیک کوانتوم و پردازش های کووانتومی، پردازش سیگنال های دیجیتال و سیستم های embedded

منبع

taiwannews

خبرهای مرتبط

5 2 رای
رتبه بندی مقاله
guest
0 دیدگاه
بازخورد درون خطی
مشاهده همه نظرات